一种氮化硼坩埚氧化装置及氮化硼坩埚的安装结构
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摘要

本实用新型公开了一种氮化硼坩埚氧化装置,包括加热套、加热管、惰性气体进管、管塞、氧气进管、氧气出管和支架;加热套安装在支架上;加热管水平地设置在加热套内;加热管一端为封端结构、另一端为敞口结构,管塞活动设置在加热管敞口一端内侧、且管塞与加热管内侧壁之间留有间隙,加热管内底部设有坩埚支撑座;惰性气体进管的进气端位于加热管外、出气端从加热管的封端一端伸入加热管内,氧气进管的进气端位于加热管外、出气端穿过管塞伸入加热管内,氧气出管的出气端位于加热管外、进气端从加热管的封端一端伸入加热管内。上述装置可以有效氧化氮化硼坩埚内壁,同时有效防止氮化硼坩埚外壁被氧化,延长了坩埚的使用寿命,节省了成本,方便了脱模。

基本信息
专利标题 :
一种氮化硼坩埚氧化装置及氮化硼坩埚的安装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021826800.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-27
授权号 :
CN212955449U
授权日 :
2021-04-13
发明人 :
乔印彬
申请人 :
中锗科技有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号
代理机构 :
南京中律知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李建芳
优先权 :
CN202021826800.6
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/40  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-04-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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