一种日光盲的紫外光光探测器及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种基于MgB2薄膜材料制作的探测器，包括：一基底，在基底上生长一层MgB2膜，其中MgB2膜厚度在10纳米～10微米；电极设置在MgB2膜两端，第一电极引线和第二电极引线连接在电极上，并且在两个电极引线之间串联一电阻，两个电极引线的末端连接放大电路和电压测试设备。该探测器在波长10nm－400nm光照射下可以获得6－25毫伏以上的直接光生伏特信号。
基本信息
专利标题 ：
一种日光盲的紫外光光探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005103A
申请号 ：
CN200610001810.4
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵嵩卿周岳亮赵昆王淑芳刘震韩鹏金奎娟陈正豪吕惠宾程波林何萌杨国桢
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN200610001810.4
主分类号 ：
H01L31/09
IPC分类号 ：
H01L31/09 H01L31/18 H01L49/00 G01J1/02
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101416717982
IPC(主分类) : G01T 1/24
专利号 : ZL2006100018104
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20120120
号牌文件序号 : 101416717982
IPC(主分类) : G01T 1/24
专利号 : ZL2006100018104
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20120120
2009-09-16 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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