日盲紫外光电化学光探测器及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种日盲紫外光电化学光探测器及其制备方法，该光探测器包括光电极，所述光电极包括衬底，还包括在所述衬底表面上形成的p型/n型掺杂氮化镓基(Gallium Nitride,简称GaN)基纳米孔阵列。另外，在GaN基纳米孔阵列上修饰助催化剂纳米颗粒作为光电极，优化了分子的吸脱附过程，提高了光电极在溶液中的氧化还原反应速率。同时，进一步优化光电化学装置设计，改变电解质溶液环境，最终实现高响应度、灵敏度高、快速反应、经济环保、自供能(无需外加额外电能)的新型日盲紫外光探测器。
基本信息
专利标题 ：
日盲紫外光电化学光探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112880821A
申请号 ：
CN201911203022.7
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN112880821B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
孙海定汪丹浩张昊宸黄晨
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN201911203022.7
主分类号 ：
G01J1/42
IPC分类号 ：
G01J1/42 G01N27/30 G01N27/414
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 1/42
申请日 : 20191129
申请日 : 20191129
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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