光电探测器、其制备方法及光电探测装置
授权
摘要
本发明公开了一种光电探测器、其制备方法及光电探测装置，本发明通过在衬底基板上直接形成感光半导体层，以及在形成有感光半导体层的衬底基板上形成电极层，即本发明采用在衬底基板上先形成感光器件，再形成开关晶体管，这样可以提高感光器件中各膜层的均匀性，从而提高光电探测器的整体均匀性，进而提高光电探测器的性能；另外，现有技术中是采用先形成开关晶体管再形成感光器件，这样感光半导体层对金属氧化物TFT的电学特性产生影响；而本发明在衬底基板上先形成感光半导体层，这样可以降低感光半导体层对金属氧化物TFT电学特性的影响；另外，采用本发明的结构还可以减少Mask工艺。
基本信息
专利标题 ：
光电探测器、其制备方法及光电探测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111370525A
申请号 ：
CN202010176782.X
公开（公告）日 ：
2020-07-03
申请日 ：
2020-03-13
授权号 ：
CN111370525B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈江博李延钊梁魁李达
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
金俊姬
优先权 ：
CN202010176782.X
主分类号 ：
H01L31/108
IPC分类号 ：
H01L31/108 H01L27/144 H01L31/20
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-07-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/108
申请日 : 20200313
申请日 : 20200313
2020-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
