非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及的是具有光电转换功能的非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜、制备及其应用，属于微电子学和光电子学领域。本发明提供的复合薄膜是由衬底i，掺杂PZT铁电陶瓷薄膜或BaSrTiO3陶瓷薄膜2、非晶硅薄膜3以及电极4、5、6组成.其独特之处在于利用非晶硅良好的光电导性，在光照后电阻下降4个数量级，给铁电薄膜提供光控偏置电场，从而实现光电转换。 用本发明提供的复合薄膜可制成多种光电集成器件，如光电开关、光存储器、光电传感器，并可与硅集成电路组合成多功能光电集成电路。
基本信息
专利标题 ：
非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1110432A
申请号 ：
CN94112118.6
公开（公告）日 ：
1995-10-18
申请日 ：
1994-04-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴道怀俞大畏陈慧婷周章王永令
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市定西路1295号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
潘振苏
优先权 ：
CN94112118.6
主分类号 ：
H01L31/02
IPC分类号 ：
H01L31/02 H01L31/04 H01L31/20 C04B35/00 G02B1/00
相关图片
法律状态
1997-10-22 ：
专利申请的视为撤回
1995-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1110432A.PDF
PDF下载
