本实用新型公开的制备非晶氢硅薄膜的装置，包括绝缘陶瓷制的反应室，反应室的相对两壁设有对称的平面狭缝式进气通道和出气通道，反应室内有两块上下平行的电极，上电极与高压脉冲电源相连，其下表面覆盖厚度2mm以下的陶瓷板，下电极固定在加热器上并接地，加热器与反应室外的加热温控装置相连。该装置结构简单，使用方便，应用该装置可以实现在多种传统基板或低熔点基板上于常温或低温快速沉积，所制备的非晶氢硅薄膜的禁带宽度1.92～2.18eV，光、暗电导比大于两个数量级，有望在太阳能电池、建筑节能玻璃等领域获得应用。