一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用
公开
摘要
本发明涉及基本电气元件领域，具体涉及一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用，所述非晶MgGaO薄膜为尖晶石结构，所述MgGa2O4薄膜的吸收截止边为200～260nm，MgGa2O4是MgO和Ga2O3的复合氧化物，具有尖晶石结构，属于直接带隙半导体，禁带宽度在4.9‑7.8eV之间，在原理上可以应用于158‑253nm范围内的紫外光电器件。MgGa2O4与ZnMgO相比，可以避免结构分相问题；MgGa2O4与Ga2O3相比，可以实现电学特性调控，提升导电性。又由于MgGa2O4具有很好的稳定性及抗辐射能力，较低的暗电流等优势。
基本信息
专利标题 ：
一种非晶MgGaO薄膜和制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620764A
申请号 ：
CN202210220570.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董美林丽君季旭孔壹右叶俊伟詹翔陈杰鑫马佳升赵栋李家蝉梁志华黄家眉周志雄
申请人 ：
仲恺农业工程学院
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区纺织路东沙街24号
代理机构 ：
重庆莫斯专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
易小艺
优先权 ：
CN202210220570.6
主分类号 ：
C01G15/00
IPC分类号 ：
C01G15/00 C23C16/40 C23C16/44 H01L31/032 H01L31/09 G01J1/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G15/00
镓、铟或铊的化合物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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