基于非晶硅薄膜的光突触器件及制备方法和工作方法
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摘要
本发明提供一种基于非晶硅薄膜的光突触器件及方法，该器件以不同能量的光信号作为激励源，以不同能量的光信号模拟突触前端的动作电位，在非晶硅薄膜中选择性激发出光生载流子，利用非晶硅薄膜中的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放引起光电流的变化，以器件的光电流响应模拟突触后电流，实现不同颜色即能量的识别，从而具有颜色选择性识别能力的仿生突触功能，巧妙利用非晶硅薄膜中以悬挂鍵为代表的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放产生的光电流响应的变化，实现器件的突触功能，本发明光电突触不仅具有器件结构和制备工艺简单且与Si‑CMOS工艺兼容等特点，还具有颜色识别能力，可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题。
基本信息
专利标题 ：
基于非晶硅薄膜的光突触器件及制备方法和工作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111863988A
申请号 ：
CN202010748348.4
公开（公告）日 ：
2020-10-30
申请日 ：
2020-07-30
授权号 ：
CN111863988B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
李伟田伟陈鹏宇伊海李东阳李春梅蒋向东
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202010748348.4
主分类号 ：
H01L31/0376
IPC分类号 ：
H01L31/0376 H01L31/20 G06N3/067
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-11-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0376
申请日 : 20200730
申请日 : 20200730
2020-10-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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