一种基于多羰基半导体钠离子存储的两端突触器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于多羰基半导体钠离子存储的两端突触器件及其制备方法，属于有机半导体电子器件技术领域。本发明采用多羰基半导体作为半导体功能层，含钠离子的固态电解质作为离子供应层制备两端突触器件。本发明利用多羰基半导体高密度存储/释放钠离子的特性和优异的动力学，实现了器件电导态的连续调制，以电化学原理深入仿生了生物神经的突触可塑性并模拟了全连接的神经网络。该固态薄膜器件高度仿生并有望大规模集成，应用于未来神经形态芯片。
基本信息
专利标题 ：
一种基于多羰基半导体钠离子存储的两端突触器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497373A
申请号 ：
CN202111561120.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林宗琼翁洁娜杨波戴彦谷李倩黄维张晓孙骏毅
申请人 ：
西北工业大学
申请人地址 ：
陕西省西安市友谊西路127号
代理机构 ：
西北工业大学专利中心
代理人 ：
刘新琼
优先权 ：
CN202111561120.5
主分类号 ：
H01L51/30
IPC分类号 ：
H01L51/30 H01L51/05 H01L51/40
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/30
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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