成膜装置及其用它生产非晶硅化合物薄膜的方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种包括一高频涂敷电极和一接地电极的成膜装置。高频涂敷电极具有一带有峰和谷的不平坦表面。通过将硅基气体送进该装置，在高频涂敷电极和接地电极之间产生辉光放电应将基片放在产生辉光放电的环境中，而将非晶硅薄膜高速地、均匀地形成在基片上。
基本信息
专利标题 ：
成膜装置及其用它生产非晶硅化合物薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037551A
申请号 ：
CN89101639.2
公开（公告）日 ：
1989-11-29
申请日 ：
1989-02-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
五十岚孝司福田信弘
申请人 ：
三井东圧化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
齐曾度
优先权 ：
CN89101639.2
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
1993-06-30 ：
专利申请的视为撤回
1991-04-17 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
