一种采用非晶硅钝化层的太阳电池
授权
摘要
本实用新型公开了一种采用非晶硅钝化层的太阳电池，属于太阳能电池领域，具体涉及一种具有特殊钝化层的太阳能电池，其技术方案为包括基底层、设置在基底层上下两侧的非晶硅层、设置在非晶硅层的透明导电氧化层、设置在透明导电氧化层外表面的金属电极；基底层为P型单晶硅片，所述非晶硅层包括沿P型单晶硅片上下表层依次设置的第一N型掺杂层、第一P型掺杂层,第一N型掺杂层包括从上到下依次设置的N+‑a‑Si掺杂层、N‑c‑Si掺杂层，所述第一P型掺杂层为P+‑a‑Si掺杂层；本实用新型提供一种采用非晶硅钝化层的太阳电池，利用了氢化掺杂非晶硅层良好的场效应钝化效果和化学钝化效果，能取得良好的表面钝化效果，提高电池效率。
基本信息
专利标题 ：
一种采用非晶硅钝化层的太阳电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920561599.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-23
授权号 ：
CN209515705U
授权日 ：
2019-10-18
发明人 ：
王涛洪布双张鹏
申请人 ：
通威太阳能（成都）有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
汤春微
优先权 ：
CN201920561599.4
主分类号 ：
H01L31/068
IPC分类号 ：
H01L31/068 H01L31/0216 H01L31/18
法律状态
2019-10-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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