非晶态硅碳氢钝化工艺
专利申请的视为撤回
摘要
用辉光放电的方法，制备出非晶态硅碳氢膜，并应用于半导体器件表面钝化。这种钝化工艺实用简单，能够有效地克服了用SiO2、Si3N4、Al2O3等常规钝化方法给半导体器件带来的缺点，也克服了用a-Si:H作钝化膜而存在的问题。本工艺可以保持和改善钝化过程中器件的电学性能，并提高半导体器件稳定性。
基本信息
专利标题 ：
非晶态硅碳氢钝化工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035022A
申请号 ：
CN87102860.3
公开（公告）日 ：
1989-08-23
申请日 ：
1987-04-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张仿清张亚非陈光华
申请人 ：
兰州大学
申请人地址 ：
甘肃省兰州市天水路78号
代理机构 ：
兰州大学专利事务所
代理人 ：
吴大明
优先权 ：
CN87102860.3
主分类号 ：
H01L21/322
IPC分类号 ：
H01L21/322 H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/322
改善其内部性能的，例如产生内部缺陷
法律状态
1993-07-21 ：
专利申请的视为撤回
1989-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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