台面半导体器件玻璃钝化工艺
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
一种台面半导体器件玻璃钝化工艺，属于台面半导体器件生产工艺的一部分。该工艺利用加硝酸铝为电解质的电泳法在台阶状PN结台面沟槽内涂敷玻璃粉和在通入纯氧的烧结炉中熔烧玻璃粉的方法，做出的玻璃钝化层表面光洁，内里无气泡，厚度均匀可控，从而提高了该类半导体器件的可靠性、稳定性和耐压强度等电气性能。
基本信息
专利标题 ：
台面半导体器件玻璃钝化工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100410A
申请号 ：
CN85100410.5
公开（公告）日 ：
1986-07-09
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85100410B
授权日 ：
1987-08-19
发明人 ：
薛成山赵富贤田淑芬刘瑞兰庄惠照
申请人 ：
山东师范大学
申请人地址 ：
山东省济南市文化东路
代理机构 ：
山东省高等院校专利事务所
代理人 ：
李荣升
优先权 ：
CN85100410.5
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 H01L21/318
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
1992-08-05 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-08-24 ：
变更
变更前 : 赵富贤;田淑芬;刘瑞兰;庄惠照 变更后 : 田淑芬;刘瑞兰;赵富贤;庄惠照
1987-08-19 ：
审定
1987-03-04 ：
实质审查请求
1986-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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