一种平面可控硅芯片的钝化工艺
实质审查的生效
摘要
一种平面可控硅芯片的钝化工艺。提供了一种方便加工，节省时间，提高产品可靠性的平面可控硅芯片的钝化工艺。包括以下步骤：（1）选取N型硅衬底晶片；（2）初始氧化：在晶片表面生长一层致密氧化膜；（3）P+隔离区选择性光刻和氧化膜去除：将正面及背面P+隔离层氧化膜暴露，其它区域用光阻剂保护；使用BOE将氧化膜去除，暴露出待扩散的P+隔离区；（4）P+隔离区硼预沉积：使用硼源进行扩散；（5）P+隔离区穿通扩散：在高温扩散炉中将硼结推进，使上下隔离层结深相通；（6）背面氧化膜去除：将晶片背面氧化膜用BOE全部去除；本发明不仅简化生产流程，降低生产成本，还提升了产品的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种平面可控硅芯片的钝化工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267601A
申请号 ：
CN202111581333.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔丹丹裘立强王毅
申请人 ：
扬州杰利半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区维扬经济开发区创业园中路26号
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
葛军
优先权 ：
CN202111581333.4
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/332 H01L23/31 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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