本实用新型公开了一种利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片，包括N‑型长基区正面的P型短基区与N+型发射区连接成一体，N‑型长基区背面的背面P型短基区通过P型对通隔离环与正面P型短基区相连。制造方法：硅片检验、生长氧化膜、光刻隔离窗、隔离划片、双面注入铝、隔离扩散、双面注入硼、双面注入铝、P型短基区扩散、光刻发射区、发射区磷扩散、光刻钝化槽、钝化槽腐蚀、钝化槽保护、光刻引线区、双面蒸发电极、光刻反刻区、合金、测试、划切。本实用新型解决了焊锡膏焊接时因溢料导致成品管的电压失效问题；解决了因树脂填充不完全出现成品管内部空气击穿问题；解决了因采用厚片而出现的不衔接，不受控等问题，提高了生产效率和良品率。