一种带有过压斩波特性的可控硅芯片
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种带有过压斩波特性的可控硅芯片,芯片包含中部的N型长基区N1,P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7,隔离墙P1,扩磷区域N2(或扩磷区域N2、N3、N4)等。尤其所述的:P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开,P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开;P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩波特性,使得可控硅既提升自身防护能力、又可以保护后端电路的器件,甚至可以取消前端的TVS保护器件,既提升了电路安全性、又简化了电路器件,且降低生产制造成本。

基本信息
专利标题 :
一种带有过压斩波特性的可控硅芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920529757.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-18
授权号 :
CN209766425U
授权日 :
2019-12-10
发明人 :
王成森
申请人 :
江苏捷捷微电子股份有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号
代理机构 :
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 :
卢海洋
优先权 :
CN201920529757.8
主分类号 :
H01L29/74
IPC分类号 :
H01L29/74  H01L29/10  H01L21/332  
法律状态
2020-10-16 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 29/74
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏捷捷微电子股份有限公司
变更后 : 江苏捷捷微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号
变更后 : 226200 江苏省南通市启东市经济开发区钱塘江路3000号
2019-12-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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