高性能MOSFET过压保护芯片
授权
摘要
本实用新型公开了高性能MOSFET过压保护芯片，包括芯片本体，所述芯片本体侧表面固定有接线针脚，所述芯片本体上固定有导热硅胶块，所述导热硅胶块内侧设置有凸块，所述凸块与芯片本体通过焊接固定，所述导热硅胶块上表面固定有导热铜片，所述导热铜片上一体成型有导热凸起，所述导热硅胶块上表面对应于导热凸起开设有第二通风孔；通过设置有导热硅胶块、导热铜片、第二通风孔、第一通风孔及凸块，便于避免芯片本体自身与外侧自然风接触面积小，自身散热效果差，便于提高风冷效果，通过设置有绝缘橡胶及微孔，便于避免两个接线针脚之间发生接触短路，便于对两个接线针脚进行隔绝。
基本信息
专利标题 ：
高性能MOSFET过压保护芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022371450.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN212934597U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
郭力
申请人 ：
无锡力神微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区兴阳路9号12-502
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
任娜娜
优先权 ：
CN202022371450.5
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367 H01L23/467
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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