一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池
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摘要
本实用新型公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池，电池正表面的整体复合速率进一步降低，电池转换效率较高。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层，P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面，正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上，正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。
基本信息
专利标题 ：
一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921593120.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-24
授权号 ：
CN210668389U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
张树德魏青竹钱洪强况亚伟李跃连维飞倪志春刘玉申杨希峰
申请人 ：
苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李萍
优先权 ：
CN201921593120.1
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0352 H01L31/068 H01L31/18
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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