P型全背接触晶硅电池的制作系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种P型全背接触晶硅电池的制作系统，利用激光掺杂和烧结过程中第二电极的金属原子的扩散在所述p型晶硅衬底的背面形成多个交替排布的n+掺杂区和p+掺杂区，无需多次掩膜开槽工艺，简化了P型全背接触晶硅电池的制作工艺流程，降低了制作难度系数和制作成本，是一种高效低成本的太阳能电池，便于工业化大规模应用。
基本信息
专利标题 ：
P型全背接触晶硅电池的制作系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920610969.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-29
授权号 ：
CN209515718U
授权日 ：
2019-10-18
发明人 ：
杨洁郑霈霆张昕宇金浩
申请人 ：
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宝筠
优先权 ：
CN201920610969.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/068
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法律状态
2019-10-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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