本实用新型公开了一种用于晶硅电池背电极的网版，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。