籽晶片及其制备方法、晶硅锭的制备方法

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摘要

本申请提供了一种籽晶片及其制备方法、晶硅锭的制备方法，所述籽晶片包括单晶硅片、位于所述单晶硅片第一表面的若干诱导槽。本申请将所述籽晶片铺设在坩埚底部，通过若干诱导槽代替所述碎硅料诱导长晶，一方面，单晶硅片的投用量远小于碎硅料的投用量，提高了硅料整体投入量的产出比例，相对降低了硅料损耗、降低了成本；另一方面，位于第一表面上的若干诱导槽晶向一致，能够诱导硅液体定向凝固，并产生大晶粒，从而获得晶向较好的多晶硅锭或类单晶硅。

基本信息

专利标题：

籽晶片及其制备方法、晶硅锭的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112899777A

申请号：

CN201911131667.4

公开（公告）日：

2021-06-04

申请日：

2019-11-19

授权号：

CN112899777B

授权日：

2022-05-13

发明人：

熊震李煜燚李飞龙朱军

申请人：

苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;洛阳阿特斯光伏科技有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区鹿山路199号

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

韩晓园

优先权：

CN201911131667.4

主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B29/06 C30B28/06 C30B33/00 B23K26/364