一种等离子刻蚀机的下电极屏蔽装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种等离子刻蚀机的下电极屏蔽装置，具体涉及半导体技术领域，包括屏蔽铝板，所述屏蔽铝板的顶端表面设有限位孔，且屏蔽铝板的底端设置有第一屏蔽绝缘筒，所述第一屏蔽绝缘筒的一侧设置有第二屏蔽绝缘筒，且第一屏蔽绝缘筒与第二屏蔽绝缘筒的内部设置有下电极射频柱。本实用新型设置了卡箍组件，当下电极射频柱安装后，将第一卡块以及第二卡块套在第一屏蔽套筒与第二屏蔽套筒的周向侧外壁上，使用紧固螺栓嵌入到定位孔的内部，可将下电极射频柱与第一屏蔽套筒以及第二屏蔽套筒连接，进而实现了下电极射频柱的屏蔽，并且可同时实现多个电极射频柱的屏蔽，解决了下电极射频柱屏蔽效果差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种等离子刻蚀机的下电极屏蔽装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922024680.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN211017019U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
廖海涛孙文彬
申请人 ：
无锡邑文电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区金城东路333-1-403
代理机构 ：
常州唯思百得知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
金辉
优先权 ：
CN201922024680.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
