用于金属刻蚀机的上部腔体的测漏装置和金属刻蚀机
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于金属刻蚀机的上部腔体的测漏装置和金属刻蚀机。其中，所述用于金属刻蚀机的上部腔体的测漏装置，其特征在于，包括：主体，其被构造为能够覆盖上部腔体的开口；以及第一凸起部，其布置在主体上，所述凸起部被构造为能够与上部腔体的开口配合以密封所述开口。通过本实用新型，可以实现金属刻蚀机的上部腔体的测漏，由此降低检测成本和检测时间。所述金属刻蚀机，包括所述的测漏装置。
基本信息
专利标题 ：
用于金属刻蚀机的上部腔体的测漏装置和金属刻蚀机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921339571.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-16
授权号 ：
CN210223965U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
刘希飞刘家桦叶日铨
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李镝的
优先权 ：
CN201921339571.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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