一种面发射激光器及其制备方法
授权
摘要
本公开提供了一种面发射激光器，其特征在于，包括：衬底；多层结构，设置在衬底上，其包括多个低折射率材料层、多个高折射率材料层及有源层，多个低折射率材料层及多个高折射率材料层交替生长形成周期性或准周期性的布拉格反射镜结构，有源层位于最后生长的一层低折射率材料层上；其中，周期性的布拉格反射镜结构中多个低折射率材料层及多个高折射率材料层的厚度分别相等，准周期性的布拉格反射镜结构中至少有一层材料层的厚度与其他同折射率材料层的厚度不等；光子晶体层，其设置在多层结构上。本公开还提供了一种面发射激光器的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种面发射激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112397998A
申请号 ：
CN202011275473.4
公开（公告）日 ：
2021-02-23
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
CN112397998B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
刘安金张靖
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202011275473.4
主分类号 ：
H01S5/18
IPC分类号 ：
H01S5/18 H01S5/187 H01S5/065
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-03-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/18
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2021-02-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
