具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法
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摘要
本发明提供具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法，所述激光器包括衬底、位于所述衬底之上的第一镜层、位于所述第一镜层之上的活化层和位于所述活化层之上的第二镜层，所述第二镜层、所述活化层和靠近所述活化层的部分所述第一镜层经过蚀刻之后形成非圆柱形主动区平台。本发明综合考虑了晶面类型以及主动区平台不同方向对氧化速度的影响，针对不同的晶面类型，对常用的圆柱形主动区平台的形状进行改进，进而实现氧化孔径的形状规则化，使其与圆形或正多边形近似，使VCSEL射出的光更加的规则。
基本信息
专利标题 ：
具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113644546A
申请号 ：
CN202110850103.7
公开（公告）日 ：
2021-11-12
申请日 ：
2020-09-02
授权号 ：
CN113644546B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
方照诒
申请人 ：
北京金太光芯科技有限公司
申请人地址 ：
北京市东城区王府井大街218-1号B4层A407
代理机构 ：
北京驰纳南熙知识产权代理有限公司
代理人 ：
李佳佳
优先权 ：
CN202110850103.7
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-11-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20200902
申请日 : 20200902
2021-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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