一种能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制...
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法及芯片，涉及半导体激光器技术领域。能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法包括：采用垂直腔面发射激光器作为激光源；通过控制垂直腔面发射激光器的横向模式分布，制备具有不同激射模式的目标垂直腔面发射激光器作为目标激光源；在目标垂直腔面发射激光器表面集成圆锥透镜，以供圆锥透镜对目标激光源发出的光束进行相位调制，确定不同激射模式对应的贝塞尔光束，得到能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片，可以获得集成度高、体积小、重量轻、结构紧凑、能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片。
基本信息
专利标题 ：
一种能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447765A
申请号 ：
CN202210087489.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘冠中荀孟孙昀赵壮壮周静涛吴德馨
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202210087489.5
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
