硅基异构集成材料及其制备方法、半导体器件
授权
摘要
本申请提供一种硅基异构集成材料及其制备方法、半导体器件，通过在硅半导体衬底上形成二氧化硅SiO2介质层；在所述SiO2介质层上形成砷化铝镓AlGaAs保护层，再在所述AlGaAs保护层上形成磷化铟镓InGaP缓冲层，再在所述InGaP缓冲层上形成砷化铟镓InGaAs沟道层，再在所述InGaAs沟道层上形成磷化铟镓InGaP势垒层，再在所述InGaP势垒层上形成砷化镓GaAs帽层，本申请采用SiO2作为介质层，并采用了AlGaAs材料作为整个材料的中间绝缘材料和保护材料，整体提高了器件衬底防止漏电的能力，有利于提高所做的器件和集成电路的噪声特性，可以实现异构集成电路设计和性能的提升。
基本信息
专利标题 ：
硅基异构集成材料及其制备方法、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110600362A
申请号 ：
CN201910708203.9
公开（公告）日 ：
2019-12-20
申请日 ：
2019-08-01
授权号 ：
CN110600362B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
常虎东孙兵杨枫丁武昌刘洪刚金智
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN201910708203.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-01-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190801
申请日 : 20190801
2019-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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