本发明提供了一种微波薄膜集成电路的制备方法，在金属化处理后，附着光刻胶，并选择性去除光刻胶形成电路图形，再选择性电镀金，然后利用真空溅射的方式制备抗刻蚀TiW掩膜保护层，利用光刻胶剥离工艺很好的去除非图形区域的抗刻蚀金属掩膜保护层，再按照一定顺序依次去除其它膜层，从而得到微波薄膜集成电路板。本发明提供的制备方法可以用于含Ni层的复合薄膜，打破了现有技术的局限，适用性更广。而且，即使带胶电镀过程中出现电镀渗金现象，利用本发明的制备方法，也可制备出合格的薄膜电路。同时，本发明的制备方法能够提高附着性，克服了在金层上电镀会降低电路附着力而不适用于对抛光型陶瓷基片进行金属化的问题。