适用于多层金属布线的金属薄膜电阻、应用金属薄膜电阻的集成...
授权
摘要
本发明公开了适用于多层金属布线的金属薄膜电阻、应用金属薄膜电阻的集成电路和集成电路制造方法；金属薄膜电阻包括平坦化的IMD金属间介质层(201)、有效薄膜电阻区和2个电阻端头。集成电路包括集成电路基底、金属淀积次顶层、金属薄膜电阻和金属淀积顶层。制造方法主要步骤为：1)确定集成电路基底。2)形成金属淀积次顶层。3)形成金属薄膜电阻。4)形成金属淀积顶层。本发明能兼容到任何工艺中，具有工艺简单，兼容性好，稳定性高，且不用考虑主工艺的线宽等一系列优点。
基本信息
专利标题 ：
适用于多层金属布线的金属薄膜电阻、应用金属薄膜电阻的集成电路和集成电路制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110993582A
申请号 ：
CN201911049928.8
公开（公告）日 ：
2020-04-10
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN110993582B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
刘建税国华刘青胡镜影王飞阚玲
申请人 ：
重庆中科渝芯电子有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西园二路98号
代理机构 ：
重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王翔
优先权 ：
CN201911049928.8
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-05-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20191031
申请日 : 20191031
2020-04-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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