薄膜电阻元件
授权
摘要
本申请提供了一种薄膜电阻元件，将氮化钽(TaN)层设置在基板的上表面上，五氧化二钽(Ta2O5)层设置于氮化钽层上，以及二电极层分开设置于五氧化二钽层上或于氮化钽层与五氧化二钽层的两端，因此在使用时产生的高温下，本申请的薄膜电阻元件可降低氮化钽层的氧化速率以维持电阻值的恒定。
基本信息
专利标题 ：
薄膜电阻元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020071985.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-14
授权号 ：
CN211062546U
授权日 ：
2020-07-21
发明人 ：
邱正中卢契佑
申请人 ：
光颉科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵平
优先权 ：
CN202020071985.8
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 H01C1/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2020-07-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
