用于SiGe RF－BiCMOS技术的集成SiCr金属薄...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提出了一种用于SiGe RF BiCMOS技术的集成SiCr金属薄膜电阻器(10)。集成SiCr薄膜电阻器(10)的使用增加了封装密度，并且减小了由表面安装结构所导致的高频处的寄生效应。根据本发明，通过选择性地控制SiCr沉积条件，SiCr薄膜电阻器的薄膜电阻(Rs)可以以小于2％的均匀度在约400－2500ohms/square的较宽范围内变化。此外，根据本发明形成的SiCr薄膜电阻器分别具有小于约100ppm/℃和－0.9ppm/℃2的线性TCR系数和二次TCR系数。
基本信息
专利标题 ：
用于SiGe RF－BiCMOS技术的集成SiCr金属薄膜电阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101027752A
申请号 ：
CN200580032708.4
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
红江·孙卡曼·鲁佩吉·麦克唐纳南希·E·贝尔塔伊尔·纳什瓦特
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200580032708.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-23 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080321
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080321
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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