一种薄膜电阻器结构
授权
摘要
本申请公开了一种薄膜电阻器结构，该薄膜电阻器结构包括：绝缘衬底，电阻层，其分布在绝缘衬底的表面；绝缘层，其覆盖在电阻层上且预留通孔；以及金属电极层，其分布在绝缘层上并通过通孔与电阻层连接。本申请薄膜电阻器结构具有小尺寸、高阻值，其中的电阻层有绝缘层覆盖，使电阻层与外部环境隔离，提高了薄膜电阻器结构的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜电阻器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020338177.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-17
授权号 ：
CN211479791U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
徐建卫徐艳汪鹏叶宇诚
申请人 ：
上海矽安光电科技有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区桂平路680号33幢8B部位814室
代理机构 ：
上海百一领御专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王奎宇
优先权 ：
CN202020338177.3
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 H01C7/22 H01C1/012 H01C1/02 H01C1/14 H01C17/00 H01C17/02 H01C17/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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