一种氮化镓集成电路芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种氮化镓集成电路芯片及其制备方法。所述集成电路芯片包括双面抛光的SOI晶圆，SOI晶圆背衬底的上方设有硅基集成电路层；SOI晶圆顶层硅的上方设有GaN器件电路层；GaN器件电路层的上方设有钝化层，钝化层表面覆盖接地电极；GaN器件电路层还包括输入电极、输出电极和接地电极，GaN器件电路层的接地电极与钝化层表面覆盖的接地电极通过接触孔相接；GaN器件电路层与硅集成电路层通过金属化硅通孔电学连接。本申请在一片晶圆正反面制备了GaN器件电路与硅基集成电路，实现了异质电路的单片集成，提高了GaN射频前端模块集成度，减小了芯片面积，降低了GaN射频晶体管与硅基集成电路之间寄生参数，提升了模块射频性能，降低了芯片封装复杂度及其成本。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓集成电路芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551592A
申请号 ：
CN202111544243.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李海滨许明伟樊晓兵
申请人 ：
深圳市汇芯通信技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城（南区）T2栋2701
代理机构 ：
深圳国新南方知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜宇
优先权 ：
CN202111544243.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/768 H01L21/335
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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