基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法，该激光器包括：III‑V族或IV族化合物半导体激光器(1)，用于产生激光，SOI波导结构(2)，用于输出激光；其中，III‑V族或IV族化合物半导体激光器(1)至少包括由多层外延层构成的有源脊波导(110)、电隔离层(108‑1、108‑2)、正电极、负电极和衬底(101)，所述正、负电极设于所述衬底(101)的同一侧，SOI波导结构(2)，至少包括硅波导(210)和复合金属层(211)，硅波导(210)与有源脊波导(110)表面接触，利用倏逝波耦合原理，使III‑V族或IV族化合物半导体激光器产生的光经过损耗较低的N型掺杂层耦合到硅波导中，复合金属层(211)分设于硅波导(210)两侧，分别与正、负电极键合连接。
基本信息
专利标题 ：
基于共面电极配置的倏逝波耦合硅基激光器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114336287A
申请号 ：
CN202011081443.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑婉华石涛孟然哲王海玲
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202011081443.X
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22 H01S5/042 H01S5/34
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/22
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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