一种基于超薄氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于超薄氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法，包括：对非掺自支撑衬底进行减薄，在包含杂质元素气体的气氛下将衬底加热至700‑900摄氏度，保温至少8小时，以使杂质扩散至衬底内；在衬底表面生长N型GaN，在N型GaN表面外延生长AlGaN，以在N型GaN和AlGaN的界面处形成二维电子气层，以及在AlGaN表面外延生长P型GaN；在P型GaN的两端分别制备电极和漏电极，刻蚀去除P型GaN中制备电极和漏电极的区域，并刻蚀减薄AlGaN的两端，以及在P型GaN的表面镀金属膜制备栅极。本发明在含有杂质的气氛下，再进行加热，由此通过热扩散的方式在GaN衬底中掺杂碳杂质来调控衬底的电阻率，当足够的碳杂质被掺入衬底中时，会形成高阻，有利于其作为高电子迁移率晶体管衬底的使用。
基本信息
专利标题 ：
一种基于超薄氮化镓自支撑衬底的HEMT制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334651A
申请号 ：
CN202210051673.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘新科吴钧烨黎晓华宋利军黄双武
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 ：
深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨勇
优先权 ：
CN202210051673.4
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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