自支撑氮化镓层的制备方法
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摘要

本发明涉及一种自支撑氮化镓层的制备方法,包括如下步骤:提供衬底;于衬底上形成第一氮化镓层;于预设温度下向第一氮化镓层提供含氧气体或含氧气体预混气,以于第一氮化镓层的表面形成氧化镓颗粒层;于开口图形内及氧化镓颗粒层的表面形成第二氮化镓层;将得到的结构进行降温处理,使得第二氮化镓层剥离以得到自支撑氮化镓层。本发明可以根据需要形成所需直径和密度分布的氧化镓颗粒层;由于第二氮化镓层与第一氮化镓层的结合面有诸多氧化镓颗粒阻挡,导致二者之间形成疏松层,进而使得二者的接触力大大降低,在降温过程中又氮化镓与衬底之间存在热失配,在降温过程中即可将氮化镓层自动剥离下来,以形成自剥离氮化镓层。

基本信息
专利标题 :
自支撑氮化镓层的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111128687A
申请号 :
CN201911404413.5
公开(公告)日 :
2020-05-08
申请日 :
2019-12-30
授权号 :
CN111128687B
授权日 :
2022-05-06
发明人 :
特洛伊·乔纳森·贝克王颖慧罗晓菊
申请人 :
镓特半导体科技(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
史治法
优先权 :
CN201911404413.5
主分类号 :
H01L21/02
IPC分类号 :
H01L21/02  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-06 :
授权
2020-06-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20191230
2020-05-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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