二维氮化铝晶体的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明揭示了一种二维氮化铝晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供衬底，并清洗；S2、于真空环境下，在衬底表面形成铝层；S3、将形成有铝层的衬底置于反应腔室中；S4、加热反应腔室至恒定温度，以使衬底上的金属处于熔融态；S5、向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到熔融态的金属表面，沿着熔融态的金属表面进行二维氮化铝晶体的生长。本发明可以实现二维氮化铝晶体在金属表面的生长，便于后续转移到不同衬底上组成不同的二维异质结，二维氮化铝晶体结晶性较好，为二维氮化物器件的制备奠定了良好的基础。
基本信息
专利标题 ：
二维氮化铝晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381806A
申请号 ：
CN202111594856.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王雨微宋文涛徐耿钊刘争晖张春玉陈科蓓韩厦徐科
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区若水路398号
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
周仁青
优先权 ：
CN202111594856.2
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B29/64 C30B25/02 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
