氮化镓晶体的位错情况的检测方法
公开
摘要
本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及氮化镓晶体的位错情况的检测方法。该方法包括以下步骤：按照(1.1～2.9)：(0.1～1.9)：1的体积比混合硫酸溶液、盐酸溶液和磷酸溶液，制备混合酸液；将氮化镓样品浸没于温度为250℃～400℃的所述混合酸液中，刻蚀5min～60min，制备待观察样品；对所述待观察样品的表面进行扫描电镜分析，获取氮化镓晶体的位错情况。本发明能够通过刻蚀得到微米级或纳米级的小尺寸的位错，且可以直接、快速、准确地观察到氮化镓晶体的位错的尺寸、形态、分布、密度等进行表征，且满足常规检测条件。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓晶体的位错情况的检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594119A
申请号 ：
CN202210080468.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱刚李子阳张坤黄凯刘子莲
申请人 ：
中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请人地址 ：
广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
杜寒宇
优先权 ：
CN202210080468.0
主分类号 ：
G01N23/225
IPC分类号 ：
G01N23/225 G01N23/2202
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
G01N23/225
利用电子或离子微探针
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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