一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法，包括单晶金刚石待测表面的研磨抛光和清洗，并通过化学腐蚀去除晶体表面机械损伤层，然后采用离子刻蚀的方法在单晶金刚石的待测表面形成位错蚀坑，对待测表面取样并对表面形貌进行检测，统计取样面积内位错蚀坑数量，最后计算得到单晶金刚石的位错密度，采用该方法可准确实现CVD单晶金刚石{100}或{111}晶面位错密度的检测。
基本信息
专利标题 ：
一种CVD单晶金刚石位错密度的检测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411112A
申请号 ：
CN202111523327.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐帅吴晓磊刘晖周文涛曹博伦闫建明董聚祥
申请人 ：
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市高新区梧桐街121号
代理机构 ：
郑州联科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨海霞
优先权 ：
CN202111523327.3
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00 G01N1/28 G01N1/32 G01N21/88 G16C20/70
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 1/28
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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