一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚,包括底座,底座的中部上表面安装有保护架,底座的四周上表面均设置有支撑架,连接块的内侧固定有内杆,且内杆的内侧表面开设有滑槽,内杆通过滑槽与内部的滑块相互连接,且滑块的外侧下端安装有连接杆,连接杆的下侧位于固定扣的内部,卡扣的内侧设置有坩埚本体,内杆的左右两侧上端均设置有伸缩柱,密封板的内侧下表面开设有进气孔,密封板的上端设置有抽气机,且抽气机和内槽相互连接。该生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚,通过卡扣的使用,使该装置能够对坩埚本体进行固定,并且通过弹簧杆对卡扣的挤压力,能够使该装置对不同大小的坩埚本体进行相互匹配。

基本信息
专利标题 :
一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020685312.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-29
授权号 :
CN212293846U
授权日 :
2021-01-05
发明人 :
周耐根刘世龙刘淑慧
申请人 :
南昌大学
申请人地址 :
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202020685312.1
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B28/06  C30B11/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-04-08 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 35/00
申请日 : 20200429
授权公告日 : 20210105
终止日期 : 20210429
2021-01-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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