一种P型低位错锗单晶制备工艺
公开
摘要
本发明属于单晶生长技术领域，公开了一种P型低位错锗单晶的制备工艺，具体包括：原料酸法腐蚀、引细颈、放肩、转肩、等径生长、收尾退火、降温冷却，该工艺在放肩阶段保持温度恒定不变，分两个阶段线性降低晶体生长速度，第一阶段：在3~3.5h内，把生长速度从2.0~2.5mm/min降到0.5~1.0mm/min；第二阶段：在5~5.5h内，把生长速度从0.5~1.0mm/min降到0.2~0.25mm/min。本发明在原有的CZ工艺基础上对放肩工艺进行改进，可生长出低位错密度的P型锗单晶，为以后实现零位错、低缺陷太阳能级P型锗单晶打下坚实的基础。
基本信息
专利标题 ：
一种P型低位错锗单晶制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606569A
申请号 ：
CN202210203200.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄治成郭晨光包炤东
申请人 ：
安徽光智科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
代理机构 ：
北京天盾知识产权代理有限公司
代理人 ：
肖小龙
优先权 ：
CN202210203200.1
主分类号 ：
C30B29/08
IPC分类号 ：
C30B29/08 C30B15/00 C30B15/20 C30B15/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/08
锗
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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