带晶种升降单元的铸造硅单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种带晶种升降单元的铸造硅单晶炉。所述的铸造硅单晶炉，包括炉体、晶种升降单元、温控单元、晶体生长单元；所述的晶体生长单元位于炉体内；所述的晶种升降单元位于炉体上方，并穿进炉体至晶体生长单元，用于将晶种插入到晶体生长单元；所述的温控单元用于提供晶体生长单元中的晶体生长所需的温度。晶种升降单元包括波纹管、晶种升降杆、升降机构，升降机构用于升降晶种升降杆。采用本实用新型生长出的硅晶体质量好，位错增殖少，晶界少，晶种消耗少，与晶种同方向的硅单晶体积占比大于90%，可以将碱制绒工艺应用于使用铸锭法制造的硅片制造太阳能电池的工艺过程，得到光衰减低、太阳能转化效高的硅太阳能电池。
基本信息
专利标题 ：
带晶种升降单元的铸造硅单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922041269.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-24
授权号 ：
CN211522362U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
田达晰
申请人 ：
田达晰
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区浙大路18号求是村67幢1单元702
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林松海
优先权 ：
CN201922041269.5
主分类号 ：
C30B11/02
IPC分类号 ：
C30B11/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/02
不使用溶剂的
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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