一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括：坩埚、保温层、外加热器和上加热器，其中，所述坩埚位于保温层内；所述外加热器位于所述保温层外侧；所述上加热器位于所述坩埚顶盖的上部，配合所述外加热器反复反转SiC籽晶生长热场的轴向温度梯度，使SiC籽晶晶体表面每经历一段时间的微升华和微再结晶的近平衡状态后，再继续生长，周而复始，直到完成生长。使用本实用新型装置生长出来的晶体，微管、位错等缺陷密度得到了有效降低，晶体质量大大提高。
基本信息
专利标题 ：
一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021500700.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-27
授权号 ：
CN212451746U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
刘新辉杨昆张福生路亚娟牛晓龙尚远航
申请人 ：
河北同光科技发展有限公司
申请人地址 ：
河北省保定市北三环6001号
代理机构 ：
北京连城创新知识产权代理有限公司
代理人 ：
许莉
优先权 ：
CN202021500700.4
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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