低缺陷密度的改变取向的Si及其产品

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种通过非晶化/模板再结晶(ATR)工艺形成低缺陷密度改变取向的Si的方法，其中具有第一晶体取向的Si的一些区域通过离子注入而被非晶化，然后被再结晶成具有不同取向的模板层的取向。更一般地，本发明涉及消除含Si单晶半导体材料中的缺陷所需的高温退火条件，该半导体材料通过离子注入导致的非晶化和从其取向可以与非晶层的初始取向相同或不同的层的模板再结晶而形成。本发明的方法的关键部分是在1250－1330℃的温度范围内几分钟至几小时的热处理，以去除在初始的再结晶退火之后留下的缺陷。本发明也提供了一种用在混合取向衬底中的通过ATR形成的低缺陷密度的改变取向的Si。

基本信息

专利标题：

低缺陷密度的改变取向的Si及其产品

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1818155A

申请号：

CN200610005701.X

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱尔·佩雷拉·德·苏扎凯斯·爱德华·福格尔约翰·阿尔布雷什·奥特德温德拉·库马尔·萨达纳凯瑟琳·林恩·萨恩格尔

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

优先权：

CN200610005701.X

主分类号：

C30B33/02

IPC分类号：

C30B33/02 H01L21/00

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B33/00

单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理

C30B33/02

热处理

法律状态

2013-03-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101406757675
IPC(主分类) : C30B 33/02
专利号 : ZL200610005701X
申请日 : 20060106
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20120106

2008-09-17 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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