本申请公开了一种制备单晶的装置，属于半导体材料领域。该制备单晶的装置包括坩埚、加热线圈组和保温结构，坩埚形成生长腔，生长腔内设置籽晶，保温结构包括与籽晶对应位置设置测温孔的上保温结构，装置还包括调节机构，调节机构包括保温环组，保温环组的外径与测温孔的内径相同，保温环组的中心设置通孔，保温环组包括多个内径递减的保温环，调节机构能够将内径由大至小的保温环放入测温孔，以减小测温孔的开口面积，进而调节生长腔内的径向温度梯度。该单晶生长装置不仅可以调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度；并且可以在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，而可以高效率的制得高质量的单晶。