一种单晶元件制备系统
授权
摘要
本申请公开了一种单晶元件制备系统，包括：密闭壳体，还包括：电磁加热装置，设置于所述密闭壳体外部，用于提供电磁加热的交变磁场；加热工装，设置于所述密闭壳体内部，内固定有用于通过高温退火生成所述单晶元件的多晶元件；所述加热工装感应所述交变磁场产生热量，且所述电磁加热装置沿着所述加热工装的延伸方向移动。本申请提供的单晶元件制备系统，升温快，温度梯度可控，加快了晶界的延伸速度，提高制备成的单晶元件的效率和质量。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶元件制备系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020386689.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN211509329U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
张辉
申请人 ：
合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020386689.7
主分类号 ：
H05B6/36
IPC分类号 ：
H05B6/36 H05B6/10 H05B6/06 C30B1/02 C30B29/02
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法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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