一种单晶元件制备装置
授权
摘要
本申请公开了一种单晶元件制备装置，包括：密闭壳体，还包括：电磁源模块，设置于所述密闭壳体外部，用于产生交变磁场；感应模块，设置于所述密闭壳体内部，用于感应所述交变磁场，产生热量；其中，所述感应模块内固定有用于通过高温退火生成所述单晶元件的多晶元件；所述电磁源模块沿着所述感应模块的延伸方向移动；温度测量模块，设置于所述电磁源模块上，用于测量所述感应模块对应所述电磁源模块移动位置处的局部温度，并发送所述感应模块的温度信号；控制模块，接收所述温度信号，并根据所述温度信号对所述电磁源模块的移动进行控制。通过所述温度测量模块对加热效果进行准确、高效的测试和反馈，提高制备成的单晶元件的效率和质量。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶元件制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020386697.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN212077190U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
张辉
申请人 ：
合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020386697.1
主分类号 ：
C30B1/06
IPC分类号 ：
C30B1/06 C30B29/02 C30B30/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B1/00
直接自固体的单晶生长
C30B1/02
热处理法，例如应变退火
C30B1/06
温度梯度下的重结晶
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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