单晶硅制备用水冷热屏及单晶炉
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摘要
一种单晶硅制备用水冷热屏,包括内筒、外筒、环形底、第一隔板、第二隔板、若干隔板组、进水管、出水管,所述内筒同心套装在外筒内,外筒的顶部向内翻折形成内缘,所述第一隔板、第二隔板竖直设置在环形内腔内,所述隔板组设置于内缘与环形底之间,在第一隔板、第二隔板之间的内筒的环壁上设有冷却液入口和冷却液出口,本实用新型中,冷却液出口靠近冷却液入口设置,冷却液从冷却液入口进入后,沿隔板组自上而下流动,形成S形流动轨迹,然后流入第一隔板、第二隔板之间的空腔的底部,再从冷却液出口流出,最大程度利用了内筒为侧壁表面,最大程度的增加了冷却液的流动距离,提高了冷却效率,本实用新型还提供了一种单晶硅制备用单晶炉。
基本信息
专利标题 :
单晶硅制备用水冷热屏及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920935816.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-20
授权号 :
CN210151240U
授权日 :
2020-03-17
发明人 :
吴学军
申请人 :
宁夏旭樱新能源科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区石嘴山市大武口区欣盛路16号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
孙彦虎
优先权 :
CN201920935816.1
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-03-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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