制备单晶硅片表面完整层的新途径
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术。发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅。经切、磨、抛后，硅片实行两次热处理的方法，获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层，为集成电路用硅材料提供了新的可能途径。
基本信息
专利标题 ：
制备单晶硅片表面完整层的新途径
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100856A
申请号 ：
CN85100856.9
公开（公告）日 ：
1986-07-02
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1008452B
授权日 ：
1990-06-20
发明人 ：
陈燕生马纪东刘桂荣
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路
代理机构 ：
北京科技大学专利代理事务所
代理人 ：
刘建民
优先权 ：
CN85100856.9
主分类号 ：
C30B31/00
IPC分类号 ：
C30B31/00 C30B33/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
法律状态
1995-05-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-02-13 ：
授权
1990-06-20 ：
审定
1989-04-12 ：
驳回申请决定
1986-07-02 ：
公开
1986-06-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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