一种单晶硅制备用石英加料装置
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摘要

本实用新型提出一种单晶硅制备用石英加料装置,包括加料筒、提拉机构,所述加料筒为上下敞口的空心筒体,所述提拉机构贯穿于加料筒内部,提拉机构包括上拉杆、下拉杆、封口件,上拉杆的上端用于与外部提拉装置上的籽晶绳套连接,下端与下拉杆的上端连接,下拉杆的下端与封口件连接,所述封口件设置于加料筒的下端开口下方,封口件的外径大于加料筒的内径,还在所述下拉杆的外壁上套设防护套管,防护套管的上端置于加料筒内部,下端与封口件连接,本实用新型中,通过提拉机构的上升提起封口件,实现硅料的封堵,通过提拉机构的下降带动封口件下降,实现硅料的下料,并且通过防护套管将硅料与拉杆隔离,避免硅料被污染。

基本信息
专利标题 :
一种单晶硅制备用石英加料装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920638819.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-07
授权号 :
CN209854276U
授权日 :
2019-12-27
发明人 :
张建新
申请人 :
宁夏旭樱新能源科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区石嘴山市大武口区欣盛路16号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
周晓梅
优先权 :
CN201920638819.9
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2019-12-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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